Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF6G20LS-110,112
- blf6g20ls.110.112
- NXP Semiconductors
- IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20LS-140,112
- blf6g20ls.140.112
- NXP Semiconductors
- IC BASESTATION FINAL SOT896B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20LS-140,118
- blf6g20ls.140.118
- NXP Semiconductors
- IC BASESTATION FINAL SOT896B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20LS-110,118
- blf6g20ls.110.118
- NXP Semiconductors
- IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20LS-180RN,11
- blf6g20ls.180rn.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-75,112
- blf6g20.75.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-180RN,112
- blf6g20.180rn.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-230PRN,112
- blf6g20.230prn.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-45,135
- blf6g20.45.135
- NXP Semiconductors
- TRANS BASESTATION LDMOS SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-40,112
- blf6g20.40.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-45,112
- blf6g20.45.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR BASESTATION SOT-608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-230PRN,118
- blf6g20.230prn.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-180PN,112
- blf6g20.180pn.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR POWER LDMOS SOT539A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 50Вт · Корпус: 5-LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-110,112
- blf6g20.110.112
- NXP Semiconductors
- IC BASESTATION FINAL SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G15L-500H,112
- blf6g15l.500h.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TRANS DIGITAL 1.5 GHZ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G15LS-500H,112
- blf6g15ls.500h.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TRANS DIGITAL 1.5 GHZ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G15L-40BRN,118
- blf6g15l.40brn.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G15L-40BRN,112
- blf6g15l.40brn.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура SINGLE 65V 11A 4.3S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G13LS-250P,112
- blf6g13ls.250p.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G10S-45,112
- blf6g10s.45.112
- NXP Semiconductors
- IC BASESTATION DRIVER SOT608B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК