Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY621282BNLL-70SXET

  • cy621282bnll.70sxet
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1-Mbit Static RAM 4.5-5.5V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30LL-55ZXIT

  • cy62127dv30ll.55zxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30LL-55ZXI

  • cy62127dv30ll.55zxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30LL-55BVXIT

  • cy62127dv30ll.55bvxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30LL-55BVXI

  • cy62127dv30ll.55bvxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30L-55ZSXE

  • cy62127dv30l.55zsxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30L-55BVXE

  • cy62127dv30l.55bvxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30L-55ZSXET

  • cy62127dv30l.55zsxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62127DV30L-55BVXET

  • cy62127dv30l.55bvxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-55ZSXET

  • cy62126ev30ll.55zsxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-55ZSXE

  • cy62126ev30ll.55zsxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-55BVXET

  • cy62126ev30ll.55bvxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-55BVXE

  • cy62126ev30ll.55bvxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-45ZSXI

  • cy62126ev30ll.45zsxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 45NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-45ZSXAT

  • cy62126ev30ll.45zsxat
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1024KB 45ns 1.3mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126ESL-45ZSXIT

  • cy62126esl.45zsxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 45NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-45ZSXA

  • cy62126ev30ll.45zsxa
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1024KB 45ns 1.3mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126EV30LL-45BVXIT

  • cy62126ev30ll.45bvxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 45NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126ESL-45ZSXAT

  • cy62126esl.45zsxat
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1024Kb 45ns 1.3mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126ESL-45ZSXA

  • cy62126esl.45zsxa
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1024Kb 45ns 1.3mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь