Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY62126DV30L-55ZSXET

  • cy62126dv30l.55zsxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126DV30L-55ZSXE

  • cy62126dv30l.55zsxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126DV30L-55BVXET

  • cy62126dv30l.55bvxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY62126DV30L-55BVXE

  • cy62126dv30l.55bvxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.2 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY22E016L-SZ45XI

  • cy22e016l.sz45xi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 16KBIT 45NS 28SOIC Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 16K (2K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY22E016L-SZ45XC

  • cy22e016l.sz45xc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 16KBIT 45NS 28SOIC Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 16K (2K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-SO

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY22E016L-SZ35XC

  • cy22e016l.sz35xc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 16KBIT 35NS 28SOIC Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 16K (2K x 8) · Скорость: 35ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-SO

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY22E016L-SZ35XI

  • cy22e016l.sz35xi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 16KBIT 35NS 28SOIC Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 16K (2K x 8) · Скорость: 35ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104NA-BA45XI

  • cy14v104na.ba45xi
  • CYPRESS
  • FBGA 48/INDUS/CY14V104NA-BA45XI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104NA-BA45XIT

  • cy14v104na.ba45xit
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 256Kbx16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104NA-BA25XIT

  • cy14v104na.ba25xit
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 256Kbx16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104NA-BA25XI

  • cy14v104na.ba25xi
  • CYPRESS
  • FBGA 48/INDUS/CY14V104NA-BA25XI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104LA-BA45XIT

  • cy14v104la.ba45xit
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 512Kb x 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104LA-BA25XIT

  • cy14v104la.ba25xit
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 512Kb x 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104LA-BA45XI

  • cy14v104la.ba45xi
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 512Kb x 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V104LA-BA25XI

  • cy14v104la.ba25xi
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 512Kb x 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V101Q3-SFXI

  • cy14v101q3.sfxi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1024 Kb SPI Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V101NA-BA45XIT

  • cy14v101na.ba45xit
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 64Kb x 16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V101NA-BA45XI

  • cy14v101na.ba45xi
  • CYPRESS
  • FBGA 48/INDUS/CY14V101NA-BA45XI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY14V101NA-BA25XI

  • cy14v101na.ba25xi
  • CYPRESS
  • NVRAM 1Mb nvSRAM 64Kb x 16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь