Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

MT29F32G08AFABAWP-IT:B

  • mt29f32g08afabawp.it.b
  • MICRON
  • TSOP 48/I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F32G08AECBBH1-12IT:B

  • mt29f32g08aecbbh1.12it.b
  • MICRON
  • VBGA 100/NAND FLASH MASS STORAGE 4GX8 29F32G08AECBB SYNCH/PA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR

  • mt29f32g08aecbbh1.12it.b.tr
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F32G08AECBBH1-12:B

  • mt29f32g08aecbbh1.12.b
  • MICRON
  • VFBGA 100/C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F32G08ABAAAWP-IT:A

  • mt29f32g08abaaawp.it.a
  • MICRON
  • 4GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TSOP 3.3V ASYNCH/PAGE READ MASS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F32G08ABAAAWP:A

  • mt29f32g08abaaawp.a
  • MICRON
  • 4GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TSOP 3.3V ASYNCH/PAGE READ MASS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABDHC-ET:D TR

  • mt29f2g16abdhc.et.d.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 2GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 2G (128M x 16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABDHC:D TR

  • mt29f2g16abdhc.d.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 2GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 2G (128M x 16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABBEAHC:E

  • mt29f2g16abbeahc.e
  • GLENAIR
  • VFBGA 63/I°/2GB NAND FLASH

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABBEAHC-IT:E

  • mt29f2g16abbeahc.it.e
  • MICRON
  • VFBGA 63/I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABBEAHC:E TR

  • mt29f2g16abbeahc.e.tr
  • MICRON
  • 128MX16 NAND FLASH PLASTIC PBF VFBGA 1.8V ASYNCH/PAGE READ M

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABBEAH4-IT:E

  • mt29f2g16abbeah4.it.e
  • GLENAIR
  • VFBGA 63/I°/2GB NAND SLC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABBEAH4:E

  • mt29f2g16abbeah4.e
  • MICRON
  • 128MX16 NAND FLASH PLASTIC PBF VFBGA 1.8V ASYNCH/PAGE READ M

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABBEAH4:E TR

  • mt29f2g16abbeah4.e.tr
  • MICRON
  • 128MX16 NAND FLASH PLASTIC PBF VFBGA 1.8V ASYNCH/PAGE READ M

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR

  • mt29f2g16abaeawp.it.e.tr
  • MICRON
  • 128MX16 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF TSOP 3.3V ASYNCH/PAG

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABAEAWP:E

  • mt29f2g16abaeawp.e
  • MICRON
  • 128MX16 NAND FLASH PLASTIC PBF TSOP 3.3V ASYNCH/PAGE READ MA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16ABAEAWP-IT:E

  • mt29f2g16abaeawp.it.e
  • MICRON
  • TSOP 48/I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16AADWP-ET:D TR

  • mt29f2g16aadwp.et.d.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 2GBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 2G (128M x 16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16AADWP:D TR

  • mt29f2g16aadwp.d.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 2GBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 2G (128M x 16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G16AABWP

  • mt29f2g16aabwp
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 2GBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 2G (128M x 16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь