Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

MT29F2G08AABWP

  • mt29f2g08aabwp
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 2GBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 2G (256M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G08AAAWP

  • mt29f2g08aaawp
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 2GBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 2G (256M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

  • mt29f2g01aaaedh4.it.e
  • MICRON
  • 2GX1 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VBGA 3.3V ASYNCH/PAGE R

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F2G01AAAEDH4:E

  • mt29f2g01aaaedh4.e
  • MICRON
  • 2GX1 NAND FLASH PLASTIC PBF VBGA 3.3V ASYNCH/PAGE READ MASS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F256G08CMCABH2-12:A

  • mt29f256g08cmcabh2.12.a
  • MICRON
  • 32GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F256G08CJAABWP-12:A

  • mt29f256g08cjaabwp.12.a
  • MICRON
  • 32GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TSOP 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F256G08AUCABH3-10IT:A

  • mt29f256g08aucabh3.10it.a
  • MICRON
  • 32GX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF LBGA 3.3V SYNCH/PAGE R

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F256G08AUCABH3-10:A

  • mt29f256g08aucabh3.10.a
  • MICRON
  • 32GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF LBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F256G08AUAAAC5-IT:A

  • mt29f256g08auaaac5.it.a
  • MICRON
  • 32GX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VLGA 3.3V ASYNCH/PAGE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F256G08AUAAAC5:A

  • mt29f256g08auaaac5.a
  • MICRON
  • 32GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF VLGA 3.3V ASYNCH/PAGE READ MASS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G16ABCHC-ET:C

  • mt29f1g16abchc.et.c
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 1GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 1G (64M x 16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G16ABBDAHC-IT:D

  • mt29f1g16abbdahc.it.d
  • MICRON
  • VFBGA 63/I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G16ABBDAHC:D

  • mt29f1g16abbdahc.d
  • MICRON
  • VFBGA 63/C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR

  • mt29f1g16abbdah4.it.d.tr
  • MICRON
  • VFBGA/I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G16ABBDAH4-IT:D

  • mt29f1g16abbdah4.it.d
  • GLENAIR
  • VFBGA 63/I°//MICRON NAND FLASH 1Gb Mass Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G16ABBDAH4:D

  • mt29f1g16abbdah4.d
  • GLENAIR
  • VFBGA 63/C°/64MX16 NAND FLASH PLASTIC 1.8V ASYNCH/PAGE READ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G08ABCHC-ET:C

  • mt29f1g08abchc.et.c
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 1GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 1G (128M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G08ABCHC:C

  • mt29f1g08abchc.c
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 1GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 1G (128M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G08ABBDAHC-IT:D

  • mt29f1g08abbdahc.it.d
  • MICRON
  • VFBGA 63/I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR

  • mt29f1g08abbdahc.it.d.tr
  • MICRON
  • 128MX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VFBGA 1.8V ASYNCH/PAG

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь