Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

JS28F00AP30TFA

  • js28f00ap30tfa
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 1GBIT P30 65NM 56TSOP Серия: Axcell™ · Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 1G (64M x 16) · Скорость: 110ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 56-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JS28F00AP33BFA

  • js28f00ap33bfa
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 1GBIT P33 65NM 56TSOP Серия: Axcell™ · Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 1G (64M x 16) · Скорость: 105ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JS28F00AP30BFA

  • js28f00ap30bfa
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 1GBIT P30 65NM 56TSOP Серия: Axcell™ · Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 1G (64M x 16) · Скорость: 110ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 56-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JS28F00AM29EWLA

  • js28f00am29ewla
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 1GBIT M29EW 56TSOP Серия: Axcell™ · Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 1G (128M x 8, 64M x 16) · Скорость: 110ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Ко

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JS28F00AP30EFA

  • js28f00ap30efa
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 1GBIT P30 65NM 56TSOP Серия: Axcell™ · Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 1G (64M x 16) · Скорость: 110ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 56-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JS28F00AM29EWHA

  • js28f00am29ewha
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 1GBIT M29EW 56TSOP Серия: Axcell™ · Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 1G (128M x 8, 64M x 16) · Скорость: 110ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Ко

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F064M29EWTA

  • jr28f064m29ewta
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F064M29EWLA

  • jr28f064m29ewla
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F064M29EWHA

  • jr28f064m29ewha
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F032M29EWLA

  • jr28f032m29ewla
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F064M29EWBA

  • jr28f064m29ewba
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F032M29EWBA

  • jr28f032m29ewba
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F032M29EWTA

  • jr28f032m29ewta
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JR28F032M29EWHA

  • jr28f032m29ewha
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS64WV6416BLL-15BLA3-TR

  • is64wv6416bll.15bla3.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 48MBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 48-MBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR

  • is66wve4m16bll.70bli.tr
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 64Mb (4M x 16) Pseudo Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS66WVE4M16BLL-70BLI

  • is66wve4m16bll.70bli
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 64Mb (4M x 16) Pseudo Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR

  • is66wve2m16bll.70bli.tr
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 32Mb (2M x 16) Pseudo Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS66WVE2M16BLL-70BLI

  • is66wve2m16bll.70bli
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 32Mb (2M x 16) Pseudo Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR

  • is66wve1m16bll.55bli.tr
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 16Mb 1M x 16 55ns Pseudo Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь