Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS65WV25616BLL-70TLA3

  • is65wv25616bll.70tla3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 70NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR

  • is65wv1288dbll.45tla3.tr
  • ISSI
  • DRAM 1Mb 128K x 8 45ns Async SRAM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS66WV1M16DBLL-55BLI

  • is66wv1m16dbll.55bli
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 16Mb (1Mx16) 55ns Pseudo Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV1288DBLL-45TLA3

  • is65wv1288dbll.45tla3
  • ISSI
  • DRAM 1Mb 128K x 8 45ns Async SRAM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV1288BLL-55HLA1

  • is65wv1288bll.55hla1
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 32STSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-sTSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV1288BLL-55HLA1-TR

  • is65wv1288bll.55hla1.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 55NS 32STSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-sTSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV12816BLL-55TA3-TR

  • is65wv12816bll.55ta3.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV12816BLL-55TA3

  • is65wv12816bll.55ta3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV12816BLL-55TLA3-TR

  • is65wv12816bll.55tla3.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65LV256AL-45TLA3

  • is65lv256al.45tla3
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 256K (32Kx8) 45ns 5V Async Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV12816BLL-55TLA3

  • is65wv12816bll.55tla3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV12816BLL-55BLA3-TR

  • is65wv12816bll.55bla3.tr
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 2M (128Kx16) 55ns Async Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65LV256AL-45TLA3-TR

  • is65lv256al.45tla3.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 256KBIT 45NS 28TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 28-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65WV12816BLL-55BLA3

  • is65wv12816bll.55bla3
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 2M (128Kx16) 55ns Async Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65C256AL-25TLA3

  • is65c256al.25tla3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 256KBIT 25NS 28TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 28-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65C1024AL-45TLA3

  • is65c1024al.45tla3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 45NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65C1024AL-45TLA3-TR

  • is65c1024al.45tla3.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 45NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS65C256AL-25TLA3-TR

  • is65c256al.25tla3.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 256KBIT 25NS 28TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 28-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR

  • is64wv6416dbll.10ctla3.tr
  • ISSI
  • DRAM 1Mb 64K x 16 10ns Async SRAM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS64WV6416BLL-15TA3-TR

  • is64wv6416bll.15ta3.tr
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 1M (64Kx16)12ns/3.3V Async Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь