Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
NST846BF3T5G
- nst846bf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR GP NPN 65V SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST489AMT1
- nst489amt1
- ON Semiconductor
- TRANS SW NPN 2A 30V TSOP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3906F3T5G
- nst3906f3t5g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP GP SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3904F3T5G
- nst3904f3t5g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS60600MZ4T3G
- nss60600mz4t3g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 6A 60V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS60601MZ4T1G
- nss60601mz4t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS60601MZ4T3G
- nss60601mz4t3g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS60600MZ4T1G
- nss60600mz4t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 6A 60V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS60200LT1G
- nss60200lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP 60V 4A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 460m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40600CF8T1G
- nss40600cf8t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 6A 40V 8CHIPFET Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS60201LT1G
- nss60201lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 4A 60V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 20mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40501UW3T2G
- nss40501uw3t2g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 40V 7A 3-WDFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 875mW ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40601CF8T1G
- nss40601cf8t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 40V 8A 1206A CHIPFET Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40301MZ4T3G
- nss40301mz4t3g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 3A 40V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40500UW3T2G
- nss40500uw3t2g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 6A 40V 3-WDFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V · Мощность макcимальная: 875
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40301MZ4T1G
- nss40301mz4t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 40V 3A BIPOLAR SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40300MZ4T1G
- nss40300mz4t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 3A 40V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40201LT1G
- nss40201lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 40V 4A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 460m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40200UW6T1G
- nss40200uw6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 4A 40V 6-WDFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40300MZ4T3G
- nss40300mz4t3g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 3A 40V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК