Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
NSS40200LT1G
- nss40200lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 4A 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS30071MR6T1G
- nss30071mr6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 700MA 30V SC74-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA · Ток коллектора (макс): 700mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS35200CF8T1G
- nss35200cf8t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS30070MR6T1G
- nss30070mr6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 700MA 30V SC74-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA · Ток коллектора (макс): 700mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS35200MR6T1G
- nss35200mr6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS30101LT1G
- nss30101lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 1A 30V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS30201MR6T1G
- nss30201mr6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 2A 30V TSOP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS30100LT1G
- nss30100lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 1A 30V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20601CF8T1G
- nss20601cf8t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 20V 8A 1206A CHIPFET Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20300MR6T1G
- nss20300mr6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 3A 20V TSOP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20200LT1G
- nss20200lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 4A 20V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20201MR6T1G
- nss20201mr6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 2A 20V TSOP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20600CF8T1G
- nss20600cf8t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 6A 20V 8-CHIPFET Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20500UW3T2G
- nss20500uw3t2g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 7A 20V 3-WDFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 875
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20501UW3T2G
- nss20501uw3t2g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 20V 7A 3-WDFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 875mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20201LT1G
- nss20201lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 20V 4A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 460m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS20101JT1G
- nss20101jt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 20V 1A SC-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS1C200LT1G
- nss1c200lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP 100V 3A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 49
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12501UW3T2G
- nss12501uw3t2g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 12V 7A 3-WDFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 875mW ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS1C201MZ4T3G
- nss1c201mz4t3g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 100V 2A SOT223-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК