Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
APTGF100DA120TG
- aptgf100da120tg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 135A 568W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 135A · Мощность макcимальная: 568W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF100DA120T1G
- aptgf100da120t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 130A 735W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 130A · Мощность макcимальная: 735W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GT120JU3
- apt75gt120ju3
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 100A 416W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 416W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GT120JU2
- apt75gt120ju2
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 100A 416W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 416W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GN120JDQ3
- apt75gn120jdq3
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 124A · Мощность макcимальная: 379W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60GF60JU3
- apt60gf60ju3
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 93A 378W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 93A · Мощность макcимальная: 378W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60GF60JU2
- apt60gf60ju2
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 93A 378W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 93A · Мощность макcимальная: 378W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GF60JU3
- apt50gf60ju3
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 75A 277W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 277W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT40GP90J
- apt40gp90j
- Microsemi-PPG
- IGBT 900V 68A 284W SOT227 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 68A · Мощность макcимальная: 284W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30GF60JU3
- apt30gf60ju3
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 58A 192W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 58A · Мощность макcимальная: 192W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT100GT60JRDQ4
- apt100gt60jrdq4
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 148A 500W SOT227 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 148A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT100GT120JU3
- apt100gt120ju3
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 140A · Мощность макcимальная: 480W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT100GT120JU2
- apt100gt120ju2
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 140A · Мощность макcимальная: 480W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT100GF60JU3
- apt100gf60ju3
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 120A 416W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 416W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VII75-12P1
- vii75.12p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 92A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3.7mA · Емкость @ Vce: 3.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 379W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VII75-06P1
- vii75.06p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 69A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA · Емкость @ Vce: 2.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 208W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VII50-12P1
- vii50.12p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 49A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA · Емкость @ Vce: 1.65nF @ 25V · Мощность макcимальная: 208W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VII50-06P1
- vii50.06p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 42.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 16nF @ 25V · Мощность макcимальная: 130Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VII25-12P1
- vii25.12p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 900µA · Емкость @ Vce: 1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 130Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VII100-06P1
- vii100.06p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 93A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.4mA · Емкость @ Vce: 4.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 294W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК