Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
CM150RX-12A
- cm150rx.12a
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 600V 150A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 18nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM150RL-24NF
- cm150rl.24nf
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 1200V 150A NF SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 23nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM150RL-12NF
- cm150rl.12nf
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 600V 150A NF SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 23nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM150DY-34A
- cm150dy.34a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 1700V 150A A SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 37nF @ 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM150DX-24A
- cm150dx.24a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 1200V 150A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 23nF @ 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM100RX-12A
- cm100rx.12a
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 600V 100A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 13.3nF @ 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM100DY-34A
- cm100dy.34a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 1700V 100A A SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 24.7nF @ 10V · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV50H60T3G
- aptgv50h60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.15nF @ 25V · Мощность макcимальная: 176W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV50H60BG
- aptgv50h60bg
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.15nF @ 25V · Мощность макcимальная: 176W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV50H120T3G
- aptgv50h120t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 270Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV50H120BTPG
- aptgv50h120btpg
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 270Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV30H60T3G
- aptgv30h60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 90Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV25H120T3G
- aptgv25h120t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 40A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 156W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV25H120BG
- aptgv25h120bg
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 40A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 156W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV15H120T3G
- aptgv15h120t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 115W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV100H60T3G
- aptgv100h60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 6.1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 340W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV100H60BTPG
- aptgv100h60btpg
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 6.1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 340W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75TL60T3G
- aptgt75tl60t3g
- Microsemi-PPG
- POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 4.62nF @ 25V · Мощность макcимальная: 250Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75TDU60PG
- aptgt75tdu60pg
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 4.62nF @ 25V · Мощность макcимальная: 250Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75TDU120PG
- aptgt75tdu120pg
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 5.34nF @ 25V · Мощность макcимальная: 350В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК