Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
MUBW75-12T8
- mubw75.12t8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 4mA · Емкость @ Vce: 5.35nF @ 25V · Мощность макcимальная: 355W · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW50-06A7
- mubw50.06a7
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA · Емкость @ Vce: 2.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 250Вт · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW40-12T7
- mubw40.12t7
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 62A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.75mA · Емкость @ Vce: 2.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 220Вт · Вход: Thre
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW35-06A6K
- mubw35.06a6k
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 42A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Емкость @ Vce: 1.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 130Вт · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW30-12E6K
- mubw30.12e6k
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 1.18nF @ 25V · Мощность макcимальная: 130Вт · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII75-12A3
- mii75.12a3
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 90A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 4mA · Емкость @ Vce: 3.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 370W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII400-12E4
- mii400.12e4
- IXYS
- IGBT 1.2KV 420A MODULE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 420A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3.3mA · Емкость @ Vce: 17nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1700W · Вход:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII300-12E4
- mii300.12e4
- IXYS
- MOD IGBT NPT PHASE LEG Y3-LI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 280A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3.3mA · Емкость @ Vce: 11nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1100W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII200-12A4
- mii200.12a4
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 270A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10mA · Емкость @ Vce: 11nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1130W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII145-12A3
- mii145.12a3
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 160A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 6mA · Емкость @ Vce: 6.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 700W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMG2G300US60
- fmg2g300us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-IA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 300A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 892W · Вход: Стандарт · Конфигурация
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM75RX-24A
- cm75rx.24a
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 11.5nF @ 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM450DX-24A
- cm450dx.24a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 1200V 450A NX SER Серия: IGBTMOD™, NX · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 450A · Ток коллектора (макс): 450A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 68nF @ 10V · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM400DX-12A
- cm400dx.12a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 600V 400A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 50nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM300DX-24A
- cm300dx.24a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 1200V 300A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 300A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 47nF @ 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM300DX-12A
- cm300dx.12a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 600V 300A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 300A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 34nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM200RX-12A
- cm200rx.12a
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 600V 200A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 27nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM200RL-24NF
- cm200rl.24nf
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 1200V 200A NF SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 35nF @ 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM200RL-12NF
- cm200rl.12nf
- Powerex Inc
- IGBT MOD 7PAC 600V 200A NF SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 30nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM200DX-24A
- cm200dx.24a
- Powerex Inc
- IGBT MOD DUAL 1200V 200A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 35nF @ 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК