Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
MWI25-12A7
- mwi25.12a7
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Емкость @ Vce: 1.65nF @ 25V · Мощность макcимальная: 225W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI15-12A6K
- mwi15.12a6k
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA SIXPACK E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 19A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 900µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 90Вт · Вход:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI200-06A8T
- mwi200.06a8t
- IXYS
- IGBT SIXPACK 225A 600V E3PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 225A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.8mA · Емкость @ Vce: 9nF @ 25V · Мощность макcимальная: 675W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI225-12E9
- mwi225.12e9
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK E+ Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 225A · Ток коллектора (макс): 355A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 14nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1400W · Вход: Станд
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI15-12A7
- mwi15.12a7
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 900µA · Емкость @ Vce: 1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 140Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI150-12T8T
- mwi150.12t8t
- IXYS
- MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 215A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 6mA · Емкость @ Vce: 10.77nF @ 25V · Мощность макcимальная: 690W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI150-06A8T
- mwi150.06a8t
- IXYS
- IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 170A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.5mA · Емкость @ Vce: 6.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 515W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI100-12T8T
- mwi100.12t8t
- IXYS
- MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 145A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 4mA · Емкость @ Vce: 7.21nF @ 25V · Мощность макcимальная: 480W · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI100-12A8
- mwi100.12a8
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 160A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 6.3mA · Емкость @ Vce: 6.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 640W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI100-12A8T
- mwi100.12a8t
- IXYS
- IGBT SIXPACK 160A 1200V E3PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 160A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 6.3mA · Емкость @ Vce: 6.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 640W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI100-12E8
- mwi100.12e8
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 165A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.4mA · Емкость @ Vce: 7.4nF @ 25V · Мощность макcимальная: 640W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI100-06A8T
- mwi100.06a8t
- IXYS
- IGBT SIXPACK 130A 600V E3PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 130A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.2mA · Емкость @ Vce: 4.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 410W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI100-06A8
- mwi100.06a8
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 130A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.2mA · Емкость @ Vce: 4.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 410W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW75-06A8
- mubw75.06a8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.4mA · Емкость @ Vce: 4.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 320W · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW75-17T8
- mubw75.17t8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 113A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA · Емкость @ Vce: 6.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 450Вт · Вход: Thre
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW50-12T8
- mubw50.12t8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2.7mA · Емкость @ Vce: 3.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 270Вт · Вход: Thre
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW50-12E8
- mubw50.12e8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 90A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA · Емкость @ Vce: 3.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 350Вт · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW6-06A6
- mubw6.06a6
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A · Ток коллектора (макс): 7A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Емкость @ Vce: 0.34nF @ 25V · Мощность макcимальная: 38Вт · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW50-12A8
- mubw50.12a8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 85A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3.7mA · Емкость @ Vce: 3.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 350Вт · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW50-17T8
- mubw50.17t8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 74A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA · Емкость @ Vce: 4.4nF @ 25V · Мощность макcимальная: 290Вт · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК