Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
MUBW15-06A7
- mubw15.06a7
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 100Вт · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW10-12A7
- mubw10.12a7
- IXYS
- CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.3VCE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 105Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW15-06A6K
- mubw15.06a6k
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 19A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 75Вт · Вход: Three P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW15-06A6
- mubw15.06a6
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 0.57nF @ 25V · Мощность макcимальная: 61W · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW10-06A7
- mubw10.06a7
- IXYS
- CONVERTER/BRAKE/INVERTER 1.9VCE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 85Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW10-06A6K
- mubw10.06a6k
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 11A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 65µA · Емкость @ Vce: 0.22nF @ 25V · Мощность макcимальная: 50Вт · Вход: Three P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW10-06A6
- mubw10.06a6
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A · Ток коллектора (макс): 11A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Емкость @ Vce: 0.435nF @ 25V · Мощность макcимальная: 45Вт · Вход: Three P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MUBW100-06A8
- mubw100.06a8
- IXYS
- MODULE IGBT CBI E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 125A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.4mA · Емкость @ Vce: 4.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 410W · Вход: Three
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI75-12E8
- mki75.12e8
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 130A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA · Емкость @ Vce: 5.7nF @ 25V · Мощность макcимальная: 500W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI80-06T6K
- mki80.06t6k
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 89A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 4.62nF @ 25V · Мощность макcимальная: 210Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI75-06A7T
- mki75.06a7t
- IXYS
- IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 90A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.3mA · Емкость @ Vce: 3.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 280W · Вход:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI75-06A7
- mki75.06a7
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 90A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.3mA · Емкость @ Vce: 3.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 280W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI65-06A7T
- mki65.06a7t
- IXYS
- IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Конфигурация: Full Bridge Inverter · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: E2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI50-06A7
- mki50.06a7
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 72A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 2.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 225W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI50-12F7
- mki50.12f7
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 65A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Емкость @ Vce: 3.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 350Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI50-06A7T
- mki50.06a7t
- IXYS
- IGBT H-BRIDGE 72A 600V E2PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 72A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 2.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 225W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI50-12E7
- mki50.12e7
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 90A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA · Емкость @ Vce: 3.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 350Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI100-12E8
- mki100.12e8
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 165A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.4mA · Емкость @ Vce: 7.4nF @ 25V · Мощность макcимальная: 640W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKI100-12F8
- mki100.12f8
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 125A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.3mA · Емкость @ Vce: 6.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 640W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIXA60WB1200TEH
- mixa60wb1200teh
- GLENAIR
- Box
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК