Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Всего товаров: 1360

FMG2G50US60

  • fmg2g50us60
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 50A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.46nF @ 30V · Мощность макcимальная: 250Вт · В

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG2G300US60E

  • fmg2g300us60e
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-HA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 300A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 892W · Вход: Стандарт · Конфигурация

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG2G400LS60

  • fmg2g400ls60
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-IA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 1136W · Вход: Стандарт · Конфигура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG2G150US60E

  • fmg2g150us60e
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 150A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 12.84nF @ 30V · Мощность макcимальная: 500W

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG2G300LS60E

  • fmg2g300ls60e
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-HA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 300A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 892W · Вход: Стандарт · Конфигурац

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG2G150US60

  • fmg2g150us60
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 150A 7PM-HA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 595W · Вход: Стандарт · Конфигурация

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG2G200US60

  • fmg2g200us60
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 200A 7PM-HA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 695W · Вход: Стандарт · Конфигурация

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG2G100US60

  • fmg2g100us60
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 10.84nF @ 30V · Мощность макcимальная: 400Вт

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG1G75US60H

  • fmg1g75us60h
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 310W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 7PM-GA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG1G75US60L

  • fmg1g75us60l
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 310W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 7PM-GA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG1G50US60L

  • fmg1g50us60l
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 50A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 7PM-GA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG1G50US60H

  • fmg1g50us60h
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 50A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 7PM-GA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG1G100US60H

  • fmg1g100us60h
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 400Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 7PM-GA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FMG1G100US60L

  • fmg1g100us60l
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 400Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 7PM-GA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPV364M4U

  • cpv364m4u
  • Vishay/Semiconductors
  • IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.84V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 2.1nF @ 30V · Мощность макcимальная: 63Вт ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPV364M4F

  • cpv364m4f
  • Vishay/Semiconductors
  • IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 27A · Ток коллектора (макс): 27A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 2.2nF @ 30V · Мощность макcимальная: 63Вт · В

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPV363M4U

  • cpv363m4u
  • Vishay/Semiconductors
  • IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 13A · Ток коллектора (макс): 13A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.1nF @ 30V · Мощность макcимальная: 36Вт · Вх

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPV363M4K

  • cpv363m4k
  • Vishay/Semiconductors
  • IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 11A · Ток коллектора (макс): 11A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.74nF @ 30V · Мощность макcимальная: 36Вт · Вхо

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPV363M4F

  • cpv363m4f
  • Vishay/Semiconductors
  • IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.63V @ 15V, 16A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.1nF @ 30V · Мощность макcимальная: 36Вт · В

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPV362M4U

  • cpv362m4u
  • Vishay/Semiconductors
  • IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7.2A · Ток коллектора (макс): 7.2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.53nF @ 30V · Мощность макcимальная: 23В

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.

Применение

IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.

Основные области их использования включают:

  • Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
  • Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
  • Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
  • Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.

Совместимость

IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.

Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь