Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
FS200R07A1E3
- fs200r07a1e3
- INFINEON
- Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULES
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FP7G50US60
- fp7g50us60
- Fairchild Semiconductor
- MODULE IGBT 600V 50A EPM7 Серия: Power-SPM™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 2.92nF @ 30V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FP7G75US60
- fp7g75us60
- Fairchild Semiconductor
- MODULE IGBT 600V 75A EPM7 Серия: Power-SPM™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 4.515nF @ 30V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FP7G100US60
- fp7g100us60
- Fairchild Semiconductor
- MODULE SPM 600V 100A EPM7 Серия: Power-SPM™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 6.085nF @ 30V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS7G20US60S
- fms7g20us60s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 20A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.277nF @ 30V · Мощность макcимальная: 89W · Вход: Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS7G15US60S
- fms7g15us60s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 15A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.935nF @ 30V · Мощность макcимальная: 73W · Вход: Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS7G20US60
- fms7g20us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 20A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.277nF @ 30V · Мощность макcимальная: 89W · Вход: Thr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS7G15US60
- fms7g15us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 15A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.935nF @ 30V · Мощность макcимальная: 73W · Вход: Thr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS7G10US60S
- fms7g10us60s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 10A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.71nF @ 30V · Мощность макcимальная: 66Вт · Вход: Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS7G10US60
- fms7g10us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 10A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.71nF @ 30V · Мощность макcимальная: 66Вт · Вход: Thr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS6G20US60S
- fms6g20us60s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 20A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.277nF @ 30V · Мощность макcимальная: 89W · Вход: Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS6G15US60S
- fms6g15us60s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 15A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.935nF @ 30V · Мощность макcимальная: 73W · Вход: Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS6G20US60
- fms6g20us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 20A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.277nF @ 30V · Мощность макcимальная: 89W · Вход: Thr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS6G10US60
- fms6g10us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 10A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.71nF @ 30V · Мощность макcимальная: 66Вт · Вход: Thr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS6G15US60
- fms6g15us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 15A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.935nF @ 30V · Мощность макcимальная: 73W · Вход: Thr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMS6G10US60S
- fms6g10us60s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 10A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.71nF @ 30V · Мощность макcимальная: 66Вт · Вход: Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMG2G75US120
- fmg2g75us120
- Fairchild Semiconductor
- IGBT POWER MOD 1200V 75A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Мощность макcимальная: 445W · Вход: Стандарт · Конфигурация: H
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMG2G400US60
- fmg2g400us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT MOLDING 600V 400A 7PM-IA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 1136W · Вход: Стандарт · Конфигураци
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMG2G50US120
- fmg2g50us120
- Fairchild Semiconductor
- IGBT POWER MOD 1200V 50A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Мощность макcимальная: 320W · Вход: Стандарт · Конфигурация: H
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMG2G75US60
- fmg2g75us60
- Fairchild Semiconductor
- IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 7.056nF @ 30V · Мощность макcимальная: 310W · В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК