Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
IXGN100N120
- ixgn100n120
- IXYS
- IGBT 160A 1200V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Ток коллектора (макс): 160A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN120N60A3
- ixgn120n60a3
- IXYS
- IGBT 200A 600V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 595W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN100N170
- ixgn100n170
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGE200N60B
- ixge200n60b
- IXYS
- IGBT 600V ISOPLUS227 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 120A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 416W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXEN60N120
- ixen60n120
- IXYS
- IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 445W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXEN60N120D1
- ixen60n120d1
- IXYS
- IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 445W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDN75N120
- ixdn75n120
- IXYS
- IGBT 1200V 150A SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 150A · Мощность макcимальная: 660Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B min
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDN55N120D1
- ixdn55n120d1
- IXYS
- IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 55A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 450Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBN42N170A
- ixbn42n170a
- IXYS
- IC TRANS BIPO 1700V SOT-223B Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A · Ток коллектора (макс): 42A · Мощность макcимальная: 312W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBN75N170A
- ixbn75n170a
- IXYS
- IC TRANS BIPO 1700V SOT-227 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN60N60
- ixgn60n60
- IXYS
- IGBT 600V 100A SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGM40N60A
- ixgm40n60a
- IXYS
- IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-ETF150Y65U
- vs.etf150y65u
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- EMIPAK-2B PressFit Power Module 3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1N30N60A4D
- hgt1n30n60a4d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 96A · Мощность макcимальная: 255W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1N40N60A4D
- hgt1n40n60a4d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GB35XF120K
- gb35xf120k
- Vishay/Semiconductors
- MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Емкость @ Vce: 3.475nF @ 30V · Мощность макcимальная: 284W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GA400TD25S
- ga400td25s
- Vishay/Semiconductors
- IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 36nF @ 30V · Мощность макcимальная: 1350W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GA200SA60U
- ga200sa60u
- Vishay/Semiconductors
- IGBT UFAST 600V 100A SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GA200SA60S
- ga200sa60s
- Vishay/Semiconductors
- IGBT STD 600V 100A SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 630W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FS400R07A1E3
- fs400r07a1e3
- INFINEON
- Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULES
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК