Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IGB15N60T
- igb15n60t
- INFINEON
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IGB01N120H2
- igb01n120h2
- INFINEON
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IGA03N120H2
- iga03n120h2
- INFINEON
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED TECH 1200V 3A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP7N60B3D
- hgtp7n60b3d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP7N60A4D
- hgtp7n60a4d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 34A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP7N60C3D
- hgtp7n60c3d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (St
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP7N60A4
- hgtp7n60a4
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 34A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP5N120BND
- hgtp5n120bnd
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CH 1200V 21A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP3N60A4D
- hgtp3n60a4d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 17A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 17A · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP3N60A4
- hgtp3n60a4
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 17A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 17A · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP12N60A4D
- hgtp12n60a4d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP20N60A4
- hgtp20n60a4
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP12N60A4
- hgtp12n60a4
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP2N120CN
- hgtp2n120cn
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CH 1200V 13A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A · Ток коллектора (макс): 13A · Мощность макcимальная: 104W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP10N120BN
- hgtp10n120bn
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP12N60C3D
- hgtp12n60c3d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CH 600V 24A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 104W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTP12N60C3
- hgtp12n60c3
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CH 600V 24A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 104W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTG7N60A4
- hgtg7n60a4
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 34A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTG7N60A4D
- hgtg7n60a4d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 34A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTG40N60B3
- hgtg40n60b3
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH UFS 600V 70A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК