Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
HGTD7N60C3S9A
- hgtd7n60c3s9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTG11N120CN
- hgtg11n120cn
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A · Ток коллектора (макс): 43A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTG10N120BND
- hgtg10n120bnd
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTD3N60C3S9A
- hgtd3n60c3s9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT UFS N-CH 600V 6A TO-252AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 6A · Мощность макcимальная: 33W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S7N60C3DS9A
- hgt1s7n60c3ds9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pa
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGTD1N120BNS9A
- hgtd1n120bns9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A · Ток коллектора (макс): 5.3A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S7N60C3DS
- hgt1s7n60c3ds
- Fairchild Semiconductor
- IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pa
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S7N60A4DS
- hgt1s7n60a4ds
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S20N60C3S9A
- hgt1s20n60c3s9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 164W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S3N60A4DS9A
- hgt1s3n60a4ds9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 17A · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S2N120CN
- hgt1s2n120cn
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A · Ток коллектора (макс): 13A · Мощность макcимальная: 104W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: I²Pak, TO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S20N36G3VL
- hgt1s20n36g3vl
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 395V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A · Ток коллектора (макс): 37.7A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: I²Pak, TO-26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S20N60A4S9A
- hgt1s20n60a4s9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S14N36G3VLT
- hgt1s14n36g3vlt
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ESD N-CHAN 380V TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: I²Pak, TO-262
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S14N36G3VLS
- hgt1s14n36g3vls
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ESD N-CHAN 380V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S20N35G3VLS
- hgt1s20n35g3vls
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 375V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S12N60A4S9A
- hgt1s12n60a4s9a
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S12N60A4DS
- hgt1s12n60a4ds
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S10N120BNST
- hgt1s10n120bnst
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HGT1S10N120BNS
- hgt1s10n120bns
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК