Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Всего товаров: 2658

HGTG30N60B3D

  • hgtg30n60b3d
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 208W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG5N120BND

  • hgtg5n120bnd
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT NPT N-CH 1200V 21A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG40N60A4

  • hgtg40n60a4
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG30N60C3D

  • hgtg30n60c3d
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 63A · Мощность макcимальная: 208W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG30N60B3

  • hgtg30n60b3
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 208W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG30N60A4D

  • hgtg30n60a4d
  • Fairchild Semiconductor, Intersil
  • IGBT N-CH SMPS 600V 60A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 463W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG27N120BN

  • hgtg27n120bn
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT NPT N-CH 1200V 72A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A · Ток коллектора (макс): 72A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG30N60A4

  • hgtg30n60a4
  • Fairchild Semiconductor, FAIR
  • IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 463W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG20N60C3D

  • hgtg20n60c3d
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT UFS N-CHAN 600V 45A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 164W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG20N60B3D

  • hgtg20n60b3d
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT N-CH UFS 600V 20A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 165Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG20N60B3

  • hgtg20n60b3
  • Fairchild Semiconductor, FAIR
  • IGBT UFS N-CHAN 600V 40A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 165Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG18N120BN

  • hgtg18n120bn
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT NPT N-CH 1200V 54A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 390W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG12N60B3

  • hgtg12n60b3
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT UFS N-CHAN 600V 27A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 27A · Мощность макcимальная: 104W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG12N60A4D

  • hgtg12n60a4d
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG20N60A4D

  • hgtg20n60a4d
  • Fairchild Semiconductor, FAIR
  • IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG20N60A4

  • hgtg20n60a4
  • Fairchild Semiconductor, FAIR
  • IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG12N60C3D

  • hgtg12n60c3d
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT UFS N-CHAN 600V 24A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 104W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG18N120BND

  • hgtg18n120bnd
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT NPT N-CHAN 1200V 54A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 390W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG12N60A4

  • hgtg12n60a4
  • Fairchild Semiconductor
  • IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HGTG11N120CND

  • hgtg11n120cnd
  • Fairchild Semiconductor, FAIR
  • IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A · Ток коллектора (макс): 43A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.

Применение

Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
  • Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
  • Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
  • Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
  • Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.

Совместимость

Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь