Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGH15N120C
- ixgh15n120c
- IXYS
- IGBT 30A 1200V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH12N120A2D1
- ixgh12n120a2d1
- IXYS
- IGBT 1200V 12A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Ток коллектора (макс): 12A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH10N100A
- ixgh10n100a
- IXYS
- IGBT 20A 1000V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH10N100
- ixgh10n100
- IXYS
- IGBT 20A 1000V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGA24N120C3
- ixga24n120c3
- IXYS
- IGBT PT 1200V 48A TO-263 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBX55N300
- ixbx55n300
- IXYS
- IGBT 3000V 130A 625W PLUS247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A · Ток коллектора (макс): 130A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBX25N250
- ixbx25n250
- IXYS
- IGBT 2500V 55A 300W PLUS247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 55A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT32N300
- ixbt32n300
- IXYS
- IGBT 3000V 80A 400W TO268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 400Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT2N250
- ixbt2n250
- IXYS
- IGBT 2500V 5A 32W TO268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Мощность макcимальная: 32Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT20N300
- ixbt20n300
- IXYS
- IGBT 3000V 50A 250W TO268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT12N300
- ixbt12n300
- IXYS
- IGBT 3000V 30A 160W TO268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBR42N170
- ixbr42n170
- IXYS
- MOSFET N-CH 1700V 32A ISOPLUS247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 42A · Ток коллектора (макс): 57A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBK55N300
- ixbk55n300
- IXYS
- IGBT 3000V 130A 625W TO264 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A · Ток коллектора (макс): 130A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH32N300
- ixbh32n300
- IXYS
- IGBT 3000V 80A 400W TO247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 400Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH2N250
- ixbh2n250
- IXYS
- IGBT 2500V 5A 32W TO247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Мощность макcимальная: 32Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH20N300
- ixbh20n300
- IXYS
- IGBT 3000V 50A 250W TO247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH12N300
- ixbh12n300
- IXYS
- IGBT 3000V 30A 160W TO247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Кор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBF32N300
- ixbf32n300
- IXYS
- IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBF20N300
- ixbf20n300
- IXYS
- IGBT 3000V 27A 110W ISOPLUSI4 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 27A · Мощность макcимальная: 110Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBF12N300
- ixbf12n300
- IXYS
- IGBT 3000V 22A 100W ISOPLUSI4 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 22A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК