Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IRGSL6B60KPBF
- irgsl6b60kpbf
- International Rectifier
- IGBT N-CH 600V 13A TO-262 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 13A · Мощность макcимальная: 90Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-262
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4064DPBF
- irgi4064dpbf
- International Rectifier
- IGBT 1200V 10A TO-247 COPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 38Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4062DPBF
- irgi4062dpbf
- International Rectifier
- IGBT ISOLATED TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 22A · Мощность макcимальная: 48W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4061DPBF
- irgi4061dpbf
- International Rectifier
- IGBT 600V 20A W/DIODE TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.59V @ 15V, 11A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 43Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4060DPBF
- irgi4060dpbf
- International Rectifier
- IGBT 600V 14A W/DIODE TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 7.5A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 37W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220FPA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4059DPBF
- irgi4059dpbf
- International Rectifier
- IGBT ISOLATED TO-220AB Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4056DPBF
- irgi4056dpbf
- International Rectifier
- IGBT 12A 600V W/DIO TO-220AB FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 9A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 34Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4045DPBF
- irgi4045dpbf
- International Rectifier
- IGBT 600V 11A W/DIODE TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A · Ток коллектора (макс): 11A · Мощность макcимальная: 33W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220FPAB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG4RC10SDTRLP
- irg4rc10sdtrlp
- International Rectifier
- IGBT UFAST 600V 14A COPACK DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 38Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG4PC50UD-EPBF
- irg4pc50ud.epbf
- International Rectifier
- IGBT ULT FAST 600V 55A TO-247-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A · Ток коллектора (макс): 55A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG4BC20UDSTRLP
- irg4bc20udstrlp
- International Rectifier
- IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A · Ток коллектора (макс): 13A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG4BC20K-STRLP
- irg4bc20k.strlp
- International Rectifier
- IGBT ULT FAST 600V 16A D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GT8G133(TE12L,Q)
- gt8g133.te12l.q
- Toshiba
- IGBT 400V 150A 8-TSSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A · Мощность макcимальная: 600mW · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GT10G131(TE12L,Q)
- gt10g131.te12l.q
- Toshiba
- IGBT 400V 200A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V @ 200A · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT80GA90B
- apt80ga90b
- Microsemi-PPG
- IGBT 900V 145A 625W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A · Ток коллектора (макс): 145A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT80GA60B
- apt80ga60b
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 143A 625W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A · Ток коллектора (макс): 143A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT75GN60LDQ3G
- apt75gn60ldq3g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 155A 536W TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 155A · Мощность макcимальная: 536W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT64GA90B
- apt64ga90b
- Microsemi-PPG
- IGBT 900V 117A 500W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A · Ток коллектора (макс): 117A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT50GT120LRDQ2G
- apt50gt120lrdq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 106A 694W TO264 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 106A · Мощность макcимальная: 694W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT50GT120B2RG
- apt50gt120b2rg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 94A 625W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 94A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК