Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
APT50GT120B2RDQ2G
- apt50gt120b2rdq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 94A 625W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 94A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GS60BRG
- apt50gs60brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 93A 415W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 93A · Мощность макcимальная: 415W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT35GA90BD15
- apt35ga90bd15
- Microsemi-PPG
- IGBT 900V 63A 290W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A · Ток коллектора (макс): 63A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT200GN60B2G
- apt200gn60b2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 283A 682W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 283A · Мощность макcимальная: 682W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT102GA60L
- apt102ga60l
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 183A 780W TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A · Ток коллектора (макс): 183A · Мощность макcимальная: 780W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT100GN120B2G
- apt100gn120b2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 245A 960W TMAX Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 245A · Мощность макcимальная: 960W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: T-MAX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIG066SS-TL-E
- tig066ss.tl.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER SWITCHING
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIG065E8-TL-H
- tig065e8.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER SWITCHING
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIG064E8-TL-H
- tig064e8.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NCH IGBT 150A 400V 2.5V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIG058E8-TL-H
- tig058e8.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LIGHT-CONTROLLING FLASH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIG062E8-TL-H
- tig062e8.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NCH IGBT 100A 400V 3V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIG056BF
- tig056bf
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LIGHT-CONTROLLING FLASH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIG052TS-TL-E
- tig052ts.tl.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LIGHT-CONTROLLING FLASH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW60H65F
- stgw60h65f
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V FST IGBT Very High Switching
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGY50NC60WD
- stgy50nc60wd
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 110A 600V MAX247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 278W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGY40NC60VD
- stgy40nc60vd
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 50A 600V MAX247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 260Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGWS38IH130D
- stgws38ih130d
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 33 A 1300V fast IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGWT38IH130D
- stgwt38ih130d
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 33A 1300V VF IGBT PowerMESH IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGWA35HF60WDI
- stgwa35hf60wdi
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600V ultra fast IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGWA60NC60WDR
- stgwa60nc60wdr
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК