Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
STGW50HF60SD
- stgw50hf60sd
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGWA19NC60HD
- stgwa19nc60hd
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGWA45HF60WDI
- stgwa45hf60wdi
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45A 600V Ultra Fast IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW50H60DF
- stgw50h60df
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW50HF60S
- stgw50hf60s
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW40NC60KD
- stgw40nc60kd
- STMicroelectronics
- IGBT 40A 600V TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW40NC60WD
- stgw40nc60wd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN 650V 40A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW45NC60VD
- stgw45nc60vd
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 45A 600V TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW39NC60VD
- stgw39nc60vd
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 600V 40A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW40NC60W
- stgw40nc60w
- STMicroelectronics
- IGBT UFAST 70A 600V TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW45HF60WDI
- stgw45hf60wdi
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45A 600V Ultra Fast IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW40NC60V
- stgw40nc60v
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 80A 600V TO247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 260Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW45HF60WD
- stgw45hf60wd
- ST MICRO, ST
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45A 600V Ultra Fast IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW40N120KD
- stgw40n120kd
- STMicroelectronics
- IGBT 1200V 80A 240W TO247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 240Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW38IH130D
- stgw38ih130d
- STMicroelectronics
- IGBT 1300V 63A 250W TO247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 63A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW33IH120D
- stgw33ih120d
- STMicroelectronics
- IGBT 30A 1200V TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 220Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW35HF60WD
- stgw35hf60wd
- STMicroelectronics
- IGBT 600V 60A 200W TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW35NB60SD
- stgw35nb60sd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN 35A 600V TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW35NB60S
- stgw35nb60s
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 35A 600V TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW35HF60WDI
- stgw35hf60wdi
- STMicroelectronics
- IGBT 600V 60A 200W TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК