Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXDR30N120D1
- ixdr30n120d1
- IXYS
- IGBT 1200V 50A W/DIO ISOPLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDR35N60BD1
- ixdr35n60bd1
- IXYS
- IGBT 600V 38A W/DIO ISOPLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 38A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDR30N120
- ixdr30n120
- IXYS
- IGBT 1200V 50A W/DIO ISOPLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDP20N60B
- ixdp20n60b
- IXYS
- IGBT 600V 32A W/DIODE TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDP35N60B
- ixdp35n60b
- IXYS
- IGBT 600V 60A W/DIODE TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDP20N60BD1
- ixdp20n60bd1
- IXYS
- IGBT 600V 32A W/DIODE TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDH35N60B
- ixdh35n60b
- IXYS
- IGBT NPT 600V 60A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDH35N60BD1
- ixdh35n60bd1
- IXYS
- IGBT NPT 600V 60A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDH30N120D1
- ixdh30n120d1
- IXYS
- IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDH30N120
- ixdh30n120
- IXYS
- IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDH20N120D1
- ixdh20n120d1
- IXYS
- IGBT NPT 1200V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 38A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDH20N120
- ixdh20n120
- IXYS
- IGBT NPT 1200V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 38A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDA20N120AS-TUBE
- ixda20n120as.tube
- IXYS
- IGBT 34A 1200V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXDA20N120AS
- ixda20n120as
- IXYS
- IGBT 1200V 34A TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT6N170
- ixbt6n170
- IXYS
- IC TRANS BIPO 1700V 12A TO-268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A · Ток коллектора (макс): 12A · Мощность макcимальная: 75Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBP5N160G
- ixbp5n160g
- IXYS
- IC TRANS BIPO 1600V 5.7A TO-247A Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 5.7A · Мощность макcимальная: 68Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT42N170A
- ixbt42n170a
- IXYS
- IC TRANS BIPO 42A 1700V TO-268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A · Ток коллектора (макс): 42A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT10N170
- ixbt10n170
- IXYS
- IC TRANS BIPO 20A 1700V TO-268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностны
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT42N170
- ixbt42n170
- IXYS
- IC TRANS BIPO 75A 1700V TO-268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 360W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH5N160G
- ixbh5n160g
- IXYS
- IC TRANS BIPO 1600V 5.7A TO247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 5.7A · Мощность макcимальная: 68Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК