Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXBH6N170
- ixbh6n170
- IXYS
- IC TRANS BIPO 1700V 12A TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A · Ток коллектора (макс): 12A · Мощность макcимальная: 75Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH9N160G
- ixbh9n160g
- IXYS
- IC TRANS BIPO 1600V 9A TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 9A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH42N170A
- ixbh42n170a
- IXYS
- IC TRANS BIPO 75A 1700V TO-247 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A · Ток коллектора (макс): 42A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH28N170A
- ixbh28n170a
- IXYS
- MOSFET N-CH 1700V 30A TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH14N250A
- ixbh14n250a
- IXYS
- IC TRANS BIPO 2500V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH14N250
- ixbh14n250
- IXYS
- IC TRANS BIPO 2500V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH10N170
- ixbh10n170
- IXYS
- IC TRANS BIPO 20A 1700V TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBF9N160G
- ixbf9n160g
- IXYS
- IC TRANS BIPO 7A 1600V I4-PAC Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 7A · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Кор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBF40N160
- ixbf40n160
- IXYS
- IC TRANS BIPO 28A 1600V I4-PAC Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXA55I1200HJ
- ixa55i1200hj
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V 84A Single IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXA12IF1200PB
- ixa12if1200pb
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V5036S3S
- isl9v5036s3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT TO263 31A 360V LOGIC LEVEL Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A · Ток коллектора (макс): 46A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V5045S3S
- isl9v5045s3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNITION 480V D2PAK Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 480V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A · Ток коллектора (макс): 51A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V5036S3ST
- isl9v5036s3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 360V 46A TO263AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A · Ток коллектора (макс): 46A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V5036S3
- isl9v5036s3
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 360V 46A TO262AA Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A · Ток коллектора (макс): 46A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V5036P3_F085
- isl9v5036p3.f085
- FAIRCHILD
- Контроллеры и драйверы двигателей / движения / зажигания N-Ch 200V 4.6A 0.8ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3040S3S
- isl9v3040s3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 21A TO263AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V5036P3
- isl9v5036p3
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 360V 46A TO220AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A · Ток коллектора (макс): 46A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3040S3ST
- isl9v3040s3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 21A TO263AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3040D3ST
- isl9v3040d3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 21A TO252AA Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК