Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
ISL9V3040D3S
- isl9v3040d3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 21A TO252AA Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3040P3
- isl9v3040p3
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 21A TO220AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3036S3ST
- isl9v3036s3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-263AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 360V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3036P3
- isl9v3036p3
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-220AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 360V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V2540S3S
- isl9v2540s3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT IGN N-CH ECOSPARK D2PAK Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 15.5A · Мощность макcимальная: 166.7W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3036S3S
- isl9v3036s3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-263AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 360V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V2040S3ST
- isl9v2040s3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 10A TO263AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 130Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V2040S3S
- isl9v2040s3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 10A TO263AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 130Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V2040P3
- isl9v2040p3
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 10A TO220AB Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 130Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3036D3S
- isl9v3036d3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-252AA Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 360V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V3036D3ST
- isl9v3036d3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-252AA Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 360V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V2040D3S
- isl9v2040d3s
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 10A TO252AA Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 130Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V2040D3ST
- isl9v2040d3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGNTN 400V 10A TO252AA Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 130Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXST40N60B2D1
- ixst40n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Ток коллектора (макс): 48A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXST30N60B2D1
- ixst30n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSQ20N60B2D1
- ixsq20n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSP10N60B2D1
- ixsp10n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSK35N120AU1
- ixsk35n120au1
- IXYS
- IGBT W/DIODE 1200VLT 70AMP TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSP20N60B2D1
- ixsp20n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSH40N60A
- ixsh40n60a
- IXYS
- IGBT HI-SPEED 600V 75A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК