Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGH32N60AU1
- ixgh32n60au1
- IXYS
- IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH32N170A
- ixgh32n170a
- IXYS
- IGBT HIGH VOLTAGE 1700V TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH30N60BD1
- ixgh30n60bd1
- IXYS
- IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH25N100A
- ixgh25n100a
- IXYS
- IGBT HI SPEED 1000V 50A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH24N60C
- ixgh24n60c
- IXYS
- IGBT 600V 48A 60NS TO-247AD Серия: HiPerFAST™, Lightspeed 2™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH24N60B
- ixgh24n60b
- IXYS
- IGBT 600V 48A 80NS TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH17N100U1
- ixgh17n100u1
- IXYS
- IGBT HI SPEED 1000V 34A TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 17A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through H
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH17N100AU1
- ixgh17n100au1
- IXYS
- IGBT LOW VOLT 1000V 34A TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 17A · Ток коллектора (макс): 34A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH10N100U1
- ixgh10n100u1
- IXYS
- IGBT HI SPEED 1000V 20A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH10N100AU1
- ixgh10n100au1
- IXYS
- IGBT LOW VOLT 1000V 20A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXER35N120D1
- ixer35n120d1
- IXYS
- IGBT W/DIOD TO-247 NPT3 1200V50A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLU
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBT16N170A
- ixbt16n170a
- IXYS
- TRANSISTOR NON 10A 1.7KV TO-268 Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH40N160
- ixbh40n160
- IXYS
- BIMOSFET 1600V 33A TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 33A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH42N170
- ixbh42n170
- IXYS
- IGBT HIVOLT 1700V 75A TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 360W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH16N170A
- ixbh16n170a
- IXYS
- BIMOSFET 1700V 16A MONO TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXBH16N170
- ixbh16n170
- IXYS
- IGBT W/DIODE 1700V 25A TO-247AD Серия: BIMOSFET™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V5045S3ST
- isl9v5045s3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH IGN 480V D2PAK Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 480V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A · Ток коллектора (макс): 51A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9V2540S3ST
- isl9v2540s3st
- Fairchild Semiconductor
- IGBT IGNITION N-CH D2PAK Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 15.5A · Мощность макcимальная: 166.7W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRGSL30B60KPBF
- irgsl30b60kpbf
- International Rectifier
- IGBT ULTRA FAST 600V 75A TO-262 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 78A · Мощность макcимальная: 370W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-262
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRGS6B60KTRLPBF
- irgs6b60ktrlpbf
- International Rectifier
- IGBT N-CH 600V 13A D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 13A · Мощность макcимальная: 90Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК