Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXSH30N60CD1
- ixsh30n60cd1
- IXYS
- IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 55A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSH35N100A
- ixsh35n100a
- IXYS
- IGBT HI SPEED 1000V 70A TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSH30N60B2D1
- ixsh30n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSH20N60B2D1
- ixsh20n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSH10N60B2D1
- ixsh10n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSA20N60B2D1
- ixsa20n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO263 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSA10N60B2D1
- ixsa10n60b2d1
- IXYS
- IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO263 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXLF19N250A
- ixlf19n250a
- IXYS
- IGBT HIGH VOLTAGE 2500V 32AMP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 19A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGY2N120
- ixgy2n120
- IXYS
- HIGH VOLTAGE IGBT Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Мощность макcимальная: 25Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX50N60AU1
- ixgx50n60au1
- IXYS
- IGBT W/DIODE 600V 75A TO-247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX120N60B
- ixgx120n60b
- IXYS
- IGBT W/DIODE 600V 200A TO-247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 660Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH60N60
- ixgh60n60
- IXYS
- TRANSISTOR IGBT N-CHAN 600V 75A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGK50N60B
- ixgk50n60b
- IXYS
- IGBT HI SPEED 600V 75A TO-264 Серия: HiPerFAST™, Lightspeed 2™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH50N60B
- ixgh50n60b
- IXYS
- IGBT HIPERFAST 600V 75A TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH50N60A
- ixgh50n60a
- IXYS
- IGBT HFST 600V 75A 275NS TO247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH45N120
- ixgh45n120
- IXYS
- TRANSISTOR IGBT N-CHAN 1200V Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 45A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH40N120B2D1
- ixgh40n120b2d1
- IXYS
- IGBT HI SPEED 1200V 75A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 380W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH32N60CD1
- ixgh32n60cd1
- IXYS
- IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH32N60BU1
- ixgh32n60bu1
- IXYS
- IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH32N60B
- ixgh32n60b
- IXYS
- IGBT HIPERFAST 600V 60A TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК