Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTM20HM20STG
- aptm20hm20stg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD FULL BRDG SER/PAR SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Ток @ 25°C: 89A · Емкость @ Vds: 6850pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20HM20FTG
- aptm20hm20ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Ток @ 25°C: 89A · Емкость @ Vds: 6850pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20HM16FTG
- aptm20hm16ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 104A · Емкость @ Vds: 7220pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20HM10FG
- aptm20hm10fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Ток @ 25°C: 175A · Емкость @ Vds: 13700pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20HM08FG
- aptm20hm08fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 208A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DUM10TG
- aptm20dum10tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Ток @ 25°C: 175A · Емкость @ Vds: 13700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DUM08TG
- aptm20dum08tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 208A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DUM05TG
- aptm20dum05tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1184nC @ 10V · Ток @ 25°C: 333A · Емкость @ Vds: 40800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DUM05G
- aptm20dum05g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 448nC @ 10V · Ток @ 25°C: 317A · Емкость @ Vds: 27400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DUM04G
- aptm20dum04g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Ток @ 25°C: 372A · Емкость @ Vds: 28900pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DHM20TG
- aptm20dhm20tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Ток @ 25°C: 89A · Емкость @ Vds: 6850pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DHM16TG
- aptm20dhm16tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 104A · Емкость @ Vds: 7220pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности: Ста
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DHM10G
- aptm20dhm10g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Ток @ 25°C: 175A · Емкость @ Vds: 13700pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DHM08G
- aptm20dhm08g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 208A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20AM10STG
- aptm20am10stg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD PHASE LEG SER/PAR SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Ток @ 25°C: 175A · Емкость @ Vds: 13700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20AM10FTG
- aptm20am10ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Ток @ 25°C: 175A · Емкость @ Vds: 13700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20AM08FTG
- aptm20am08ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 208A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20AM06SG
- aptm20am06sg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD PHASE LEG SER/PAR SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 325nC @ 10V · Ток @ 25°C: 300A · Емкость @ Vds: 18500pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20AM05FTG
- aptm20am05ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG LP8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1184nC @ 10V · Ток @ 25°C: 333A · Емкость @ Vds: 40800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20AM05FG
- aptm20am05fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 448nC @ 10V · Ток @ 25°C: 317A · Емкость @ Vds: 27400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК