Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTM10TAM09FPG
- aptm10tam09fpg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10HM19FT3G
- aptm10hm19ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Ток @ 25°C: 70A · Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10HM09FTG
- aptm10hm09ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10HM09FT3G
- aptm10hm09ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10HM05FG
- aptm10hm05fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V · Ток @ 25°C: 278A · Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DUM05TG
- aptm10dum05tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V · Ток @ 25°C: 278A · Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DUM02G
- aptm10dum02g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V · Ток @ 25°C: 495A · Емкость @ Vds: 40000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DSKM19T3G
- aptm10dskm19t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Ток @ 25°C: 70A · Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DSKM09T3G
- aptm10dskm09t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DHM05G
- aptm10dhm05g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V · Ток @ 25°C: 278A · Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DDAM19T3G
- aptm10ddam19t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Ток @ 25°C: 70A · Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DDAM09T3G
- aptm10ddam09t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10AM05FTG
- aptm10am05ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V · Ток @ 25°C: 278A · Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10AM02FG
- aptm10am02fg
- Microsemi-PPG
- PWR MODULE MOSFET 100V 495A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V · Ток @ 25°C: 495A · Емкость @ Vds: 40000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100TDU35PG
- aptm100tdu35pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET TRIPLE DUAL COM SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Ток @ 25°C: 22A · Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100TA35FPG
- aptm100ta35fpg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Ток @ 25°C: 22A · Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Станд
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100H80FT1G
- aptm100h80ft1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Ток @ 25°C: 11A · Емкость @ Vds: 3876pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100H45STG
- aptm100h45stg
- Microsemi-PPG
- MOSFET FULL BRIDGE SER/PAR SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V · Ток @ 25°C: 18A · Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100H45SCTG
- aptm100h45sctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET FULL BRIDGE SER/SIC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V · Ток @ 25°C: 18A · Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100H45FT3G
- aptm100h45ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V · Ток @ 25°C: 18A · Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК