Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
FD6M045N06
- fd6m045n06
- Fairchild Semiconductor
- IC RECT MOD 60V/60A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Ток @ 25°C: 60A · Емкость @ Vds: 3890pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FD6M043N08
- fd6m043n08
- Fairchild Semiconductor
- IC RECT MOD 75V/65A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 148nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Емкость @ Vds: 6180pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FD6M033N06
- fd6m033n06
- Fairchild Semiconductor
- IC RECT MOD 60V/73A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 129nC @ 10V · Ток @ 25°C: 73A · Емкость @ Vds: 6010pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FD6M016N03
- fd6m016n03
- Fairchild Semiconductor
- MODULE PWR SPM 30V 80A EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 295nC @ 10V · Ток @ 25°C: 80A · Емкость @ Vds: 11535pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50TDUM65PG
- aptm50tdum65pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50TAM65FPG
- aptm50tam65fpg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM75SCTG
- aptm50hm75sctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD FULL BRDG SER/SIC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5590pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM75FTG
- aptm50hm75ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM75FT3G
- aptm50hm75ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM65FTG
- aptm50hm65ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM65FT3G
- aptm50hm65ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM38FG
- aptm50hm38fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Ток @ 25°C: 90A · Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM35FG
- aptm50hm35fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 99A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50H14FT3G
- aptm50h14ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 13A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Ток @ 25°C: 26A · Емкость @ Vds: 3259pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50H10FT3G
- aptm50h10ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V · Ток @ 25°C: 37A · Емкость @ Vds: 4367pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DUM38TG
- aptm50dum38tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Ток @ 25°C: 90A · Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DUM35TG
- aptm50dum35tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 99A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DUM25TG
- aptm50dum25tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC LP8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1200nC @ 10V · Ток @ 25°C: 149A · Емкость @ Vds: 29600pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DUM19G
- aptm50dum19g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 492nC @ 10V · Ток @ 25°C: 163A · Емкость @ Vds: 22400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DUM17G
- aptm50dum17g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Ток @ 25°C: 180A · Емкость @ Vds: 28000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК