Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APT58F50J
- apt58f50j
- MICROSEMI [Microsemi Corporation]
- N-Channel FREDFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT47F60J
- apt47f60j
- MICROSEMI [Microsemi Corporation]
- N-Channel FREDFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO60-05F
- vmo60.05f
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 405nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 126
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXUN280N10
- ixun280n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 140A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 440nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18000pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN90P20P
- ixtn90p20p
- IXYS
- MOSFET P-CH 200V 90A SOT227 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN90N25L2
- ixtn90n25l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 640nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN8N150L
- ixtn8n150l
- IXYS
- MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 4A, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN60N50L2
- ixtn60n50l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 610nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN40P50P
- ixtn40p50p
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 40A SOT227 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN32P60P
- ixtn32p60p
- IXYS
- MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11100p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN320N10T
- ixtn320n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 320A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN170P10P
- ixtn170p10p
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN120N25
- ixtn120n25
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTE250N10
- ixte250n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 730W · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKN45N80C
- ixkn45n80c
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN73N30Q
- ixfn73n30q
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN48N55
- ixfn48n55
- IXYS
- MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN48N50Q
- ixfn48n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN44N50U3
- ixfn44n50u3
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 84
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN360N10T
- ixfn360n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 505nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 360A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК