Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
IXFN340N06
- ixfn340n06
- IXYS
- MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 600nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 340A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 16800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN32N60
- ixfn32n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 325nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN300N10P
- ixfn300n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 279nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 295A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN260N17T
- ixfn260n17t
- IXYS
- MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 170V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 245A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN24N90Q
- ixfn24n90q
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN23N100
- ixfn23n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 595W · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227B miniB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN230N20T
- ixfn230n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 378nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN21N100Q
- ixfn21n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN210N20P
- ixfn210n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 105A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 255nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 188A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN20N120
- ixfn20n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN180N25T
- ixfn180n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 345nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 164A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN170N30P
- ixfn170n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 258nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 138A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN160N30T
- ixfn160n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN120N25
- ixfn120n25
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN100N25
- ixfn100n25
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN100N10S3
- ixfn100n10s3
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN100N10S2
- ixfn100n10s2
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN100N10S1
- ixfn100n10s1
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMM650-01F
- vmm650.01f
- IXYS
- MOSFET MOD PHASE LEG 100V Y3-LI Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 500A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1440nC @ 10V · Ток @ 25°C: 680A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Cha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMM45-02F
- vmm45.02f
- IXYS
- MOSFET MOD PHASE 200V TO-240AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Ток @ 25°C: 45A · Емкость @ Vds: 7500pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК