Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
VBH40-05B
- vbh40.05b
- IXYS
- MODULE MOSFET H-BRIDGE V2 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 30A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Ток @ 25°C: 40A · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Chassis
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50UM25SG
- aptm50um25sg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 149A J3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 364nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 149A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 17500pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50UM19SG
- aptm50um19sg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 163A J3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 81.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 492nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 163A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 22400pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50UM13SAG
- aptm50um13sag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 335A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 167.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 800nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 335A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50UM09FAG
- aptm50um09fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 497A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 248.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 497A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 63300pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50SKM38TG
- aptm50skm38tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 90A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11200pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50SKM35TG
- aptm50skm35tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 99A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 99A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50SKM19G
- aptm50skm19g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 163A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 492nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 163A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 22400pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50SKM17G
- aptm50skm17g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 180A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DAM38TG
- aptm50dam38tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 90A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11200pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DAM38CTG
- aptm50dam38ctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 90A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11200pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DAM35TG
- aptm50dam35tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 99A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 99A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DAM19G
- aptm50dam19g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 163A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 492nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 163A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 22400pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50DAM17G
- aptm50dam17g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 180A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20UM09SG
- aptm20um09sg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 195A J3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 74.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 217nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12300pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20UM05SG
- aptm20um05sg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 317A J3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 448nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 317A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27400pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20UM04SAG
- aptm20um04sag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 417A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 208.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 417A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28800pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20UM03FAG
- aptm20um03fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 580A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 290A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 840nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 580A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43300pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20SKM10TG
- aptm20skm10tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 175A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 175A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13700pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20SKM08TG
- aptm20skm08tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 208A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 208A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14400pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК