Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

FCD7N60TF

  • fcd7n60tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCD4N60TF

  • fcd4n60tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCD5N60TF

  • fcd5n60tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCB20N60TM

  • fcb20n60tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCB20N60FTM

  • fcb20n60ftm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCB11N60TM

  • fcb11n60tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCB11N60FTM

  • fcb11n60ftm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCA47N60

  • fca47n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 23.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCA20N60F

  • fca20n60f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCA20N60

  • fca20n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FCA16N60

  • fca16n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PCP1302-TD-H

  • pcp1302.td.h
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • P-Channel Power MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVTFS4C25NWFTAG

  • nvtfs4c25nwftag
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Power MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVTFS4C10NWFTAG

  • nvtfs4c10nwftag
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Single N-Channel Power MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVMFS5C646NLWFT3G

  • nvmfs5c646nlwft3g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Single N−Channel Power MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVMFS5C612NLWFT3G

  • nvmfs5c612nlwft3g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Power MOSFET Amps, Volt

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVMFS5C612NLT3G

  • nvmfs5c612nlt3g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Power MOSFET Amps, Volt

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVMFS5C604NLWFT3G

  • nvmfs5c604nlwft3g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Single N−Channel Power MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVMFS5C604NLT3G

  • nvmfs5c604nlt3g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Single N−Channel Power MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NVMFS5C410NLWFT3G

  • nvmfs5c410nlwft3g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Single N−Channel Power MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь