Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FCPF11N60T
- fcpf11n60t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCPF16N60NT
- fcpf16n60nt
- FAIRCHILD
- TO-220F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCPF20N60
- fcpf20n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 20A TO220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCPF11N60F
- fcpf11n60f
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCPF11N60
- fcpf11n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 11A TO220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCP20N60
- fcp20n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCP16N60
- fcp16n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCP7N60
- fcp7n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCP4N60
- fcp4n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCP11N60F
- fcp11n60f
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCP11N60
- fcp11n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCI7N60
- fci7n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCI11N60
- fci11n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH47N60
- fch47n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 23.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH47N60F
- fch47n60f
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 23.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH20N60
- fch20n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCD7N60TM
- fcd7n60tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCD5N60TM
- fcd5n60tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCD4N60TM
- fcd4n60tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК