Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDAF59N30

FDAF59N30

  • fdaf59n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4670pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA70N20

FDA70N20

  • fda70n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3970pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA69N25

FDA69N25

  • fda69n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 34.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 69A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4640pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA75N28

FDA75N28

  • fda75n28
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 37.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 280V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 144nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA33N25

FDA33N25

  • fda33n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA50N50

FDA50N50

  • fda50n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 137nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6460pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA59N30

FDA59N30

  • fda59n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 29.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4670pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA20N50F

FDA20N50F

  • fda20n50f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3390pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA2712

FDA2712

  • fda2712
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 129nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10175pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA18N50

FDA18N50

  • fda18n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2860pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA16N50

FDA16N50

  • fda16n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1945p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA16N50_F109

FDA16N50_F109

  • fda16n50.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1945p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA15N65

FDA15N65

  • fda15n65
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3095pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCU5N60TU

FCU5N60TU

  • fcu5n60tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCU7N60TU

FCU7N60TU

  • fcu7n60tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7A I-PAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF7N60YDTU

FCPF7N60YDTU

  • fcpf7n60ydtu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF7N60

FCPF7N60

  • fcpf7n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF7N60T

FCPF7N60T

  • fcpf7n60t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF20N60T

FCPF20N60T

  • fcpf20n60t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF16N60

FCPF16N60

  • fcpf16n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь