Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
DMN3150LW-7
- dmn3150lw.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 1.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3150L-7
- dmn3150l.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3115UDM-7
- dmn3115udm.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 476pF @ 15V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3112S-7
- dmn3112s.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 5.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 268pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG4800LFG-7
- dmg4800lfg.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.47nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 798pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3052LSS-13
- dmn3052lss.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 555pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3052L-7
- dmn3052l.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 555pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3051LDM-7
- dmn3051ldm.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CHANNEL SOT-26 GREEN 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3051L-7
- dmn3051l.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 424pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3050S-7
- dmn3050s.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 390pF @ 15V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3033LSN-7
- dmn3033lsn.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 755pF @ 10V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3033LDM-7
- dmn3033ldm.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 755pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3030LSS-13
- dmn3030lss.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 741pF @ 15V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3031LSS-13
- dmn3031lss.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 741pF @ 15V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3024LK3-13
- dmn3024lk3.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 608pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3020LK3-13
- dmn3020lk3.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 608pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3010LSS-13
- dmn3010lss.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2096pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3007LSS-13
- dmn3007lss.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2714pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN26D0UT-7
- dmn26d0ut.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14.1pF @ 15V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2600UFB-7
- dmn2600ufb.7
- Diodes Incorporated
- DFN1006-3/25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК