Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
DMG3414U-7
- dmg3414u.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 829.9pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG3420U-7
- dmg3420u.7
- Diodes Incorporated
- SOT23-3/N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG2301U-7
- dmg2301u.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 608pF @ 6V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG2302U-7
- dmg2302u.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 594.3pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1013T-7
- dmg1013t.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 460mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 59.76pF @ 16V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1013UW-7
- dmg1013uw.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 622.4nC @ 4.5V · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 59.76pF @ 16V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1012UW-7
- dmg1012uw.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60.67pF @ 16V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1012T-7
- dmg1012t.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH SOT-523 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 630mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60.67pF @ 16V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9435T
- di9435t
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9430T
- di9430t
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9400T
- di9400t
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9405T
- di9405t
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1425pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPC5603CTR
- cpc5603ctr
- Clare
- MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV · Drain to Source Voltage (Vdss): 415V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 0V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Depletion
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD25302Q2
- csd25302q2
- Texas Instruments
- MOSFET PCH -20V -5A 6SON Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 10V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD25301W1015
- csd25301w1015
- Texas Instruments
- MOSFET PCH 20V 2.2A 1X1.5 6DSBGA Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD25401Q3
- csd25401q3
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 20V 13.6A 8-SON Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD23201W10
- csd23201w10
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 12V 1.1A 1X1 4DSBGA Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК