Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
DMN2230U-7
- dmn2230u.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 188pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2112SN-7
- dmn2112sn.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2170U-7
- dmn2170u.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 217pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2114SN-7
- dmn2114sn.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2100UDM-7
- dmn2100udm.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 555pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2075U-7
- dmn2075u.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 594.3pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2041L-7
- dmn2041l.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2028USS-13
- dmn2028uss.13
- Diodes Incorporated
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности N-Ch FET VDSS 20V VGSS 20V ID 9.8A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2005LPK-7
- dmn2005lpk.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 440mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 450mW · Mounting Type: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2005LP4K-7
- dmn2005lp4k.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 41pF @ 3V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2005K-7
- dmn2005k.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Ty
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2004WK-7
- dmn2004wk.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 16V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2004TK-7
- dmn2004tk.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CHANNEL SOT-523 GREEN 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2004K-7
- dmn2004k.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 16V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN100-7-F
- dmn100.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN100-7
- dmn100.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG8880LSS-13
- dmg8880lss.13
- Diodes Incorporated
- SOIC 8/N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG6968U-7
- dmg6968u.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 151pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG3415U-7
- dmg3415u.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 294pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG4413LSS-13
- dmg4413lss.13
- Diodes Incorporated
- SOP 8/MOSFET N-CHANNEL GREEN 2.5K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК