Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BUZ32 E3045A
- buz32.e3045a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ32
- buz32
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ32 H3045A
- buz32.h3045a
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ32 H
- buz32.h
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31L H
- buz31l.h
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31 H3045A
- buz31.h3045a
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31L E3044A
- buz31l.e3044a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31L
- buz31l
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31 E3045A
- buz31.e3045a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31 H
- buz31.h
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31
- buz31
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ31 E3046
- buz31.e3046
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ30A H3045A
- buz30a.h3045a
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ30A H
- buz30a.h
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ30A E3045A
- buz30a.e3045a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ30A
- buz30a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ11_R4941
- buz11.r4941
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ11_NR4941
- buz11.nr4941
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUZ10
- buz10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 50V 23A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 14A, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y58-75B,115
- buk9y58.75b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК