Полевые транзисторы - Одиночные, страница 1041
Всего товаров: 22220
BUK9907-40ATC,127
- buk9907.40atc.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5836pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9E04-30B,127
- buk9e04.30b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6526pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9880-55A,115
- buk9880.55a.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 584pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9880-55,135
- buk9880.55.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9875-100A,115
- buk9875.100a.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1690pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9840-55,115
- buk9840.55.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9832-55A,115
- buk9832.55a.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1594pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK98180-100A,115
- buk98180.100a.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 619pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK98150-55,135
- buk98150.55.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK98150-55A,135
- buk98150.55a.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9675-100A,118
- buk9675.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1704pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9675-55A,118
- buk9675.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 643pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK964R4-40B,118
- buk964r4.40b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7124pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9660-100A,118
- buk9660.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1924pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK964R2-55B,118
- buk964r2.55b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10220pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9640-100A,118
- buk9640.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3072pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK963R2-40B,118
- buk963r2.40b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10502pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9635-55A,118
- buk9635.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 34A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1173pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9635-55,118
- buk9635.55.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 34A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9635-100A,118
- buk9635.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 41A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3573pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК