Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

BUK9907-40ATC,127

  • buk9907.40atc.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5836pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9E04-30B,127

  • buk9e04.30b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6526pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9880-55A,115

  • buk9880.55a.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 584pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9880-55,135

  • buk9880.55.135
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9875-100A,115

  • buk9875.100a.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1690pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9840-55,115

  • buk9840.55.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Featu

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9832-55A,115

  • buk9832.55a.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1594pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK98180-100A,115

  • buk98180.100a.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 619pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK98150-55,135

  • buk98150.55.135
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK98150-55A,135

  • buk98150.55a.135
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9675-100A,118

  • buk9675.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1704pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9675-55A,118

  • buk9675.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 643pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK964R4-40B,118

  • buk964r4.40b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7124pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9660-100A,118

  • buk9660.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1924pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK964R2-55B,118

  • buk964r2.55b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10220pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9640-100A,118

  • buk9640.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3072pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK963R2-40B,118

  • buk963r2.40b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10502pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9635-55A,118

  • buk9635.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 34A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1173pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9635-55,118

  • buk9635.55.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 34A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9635-100A,118

  • buk9635.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 41A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3573pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь