Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BUK9Y53-100B,115
- buk9y53.100b.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 100V LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y40-55B,115
- buk9y40.55b.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y22-30B,115
- buk9y22.30b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y30-75B,115
- buk9y30.75b.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y19-55B,115
- buk9y19.55b.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1992pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y27-40B,115
- buk9y27.40b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y19-75B,115
- buk9y19.75b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y14-40B,115
- buk9y14.40b.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 40V LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y11-30B,115
- buk9y11.30b.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1614pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y12-55B,115
- buk9y12.55b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y104-100B,115
- buk9y104.100b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y07-30B,115
- buk9y07.30b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9E4R4-40B,127
- buk9e4r4.40b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7124pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y09-40B,115
- buk9y09.40b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9E3R2-40B,127
- buk9e3r2.40b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10502pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9E08-55B,127
- buk9e08.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5280pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9E06-55B,127
- buk9e06.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7565pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9E06-55A,127
- buk9e06.55a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9E04-40A,127
- buk9e04.40a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 40V I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 128nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8260pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9907-55ATE,127
- buk9907.55ate.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5836pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК