Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для BUK9528-55A,127

BUK9528-55A,127

  • buk9528.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9524-55A,127

BUK9524-55A,127

  • buk9524.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 46A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1815pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9520-55A,127

BUK9520-55A,127

  • buk9520.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9523-75A,127

BUK9523-75A,127

  • buk9523.75a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 53A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9520-55,127

BUK9520-55,127

  • buk9520.55.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 52A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9520-100A,127

BUK9520-100A,127

  • buk9520.100a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 63A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6385pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9518-55A,127

BUK9518-55A,127

  • buk9518.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 61A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9518-55,127

BUK9518-55,127

  • buk9518.55.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 57A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK95180-100A,127

BUK95180-100A,127

  • buk95180.100a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 619pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9516-75B,127

BUK9516-75B,127

  • buk9516.75b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 67A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4034pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9516-55A,127

BUK9516-55A,127

  • buk9516.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3085pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9514-55A,127

BUK9514-55A,127

  • buk9514.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 73A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3307pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9515-100A,127

BUK9515-100A,127

  • buk9515.100a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK95150-55A,127

BUK95150-55A,127

  • buk95150.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 339pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9512-55B,127

BUK9512-55B,127

  • buk9512.55b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3693pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9510-55A,127

BUK9510-55A,127

  • buk9510.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4307pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9511-55A,127

BUK9511-55A,127

  • buk9511.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4230pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9510-100B,127

BUK9510-100B,127

  • buk9510.100b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11045p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9509-75A,127

BUK9509-75A,127

  • buk9509.75a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8840pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK9509-55A,127

BUK9509-55A,127

  • buk9509.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4633pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь