Полевые транзисторы - Одиночные, страница 1042
Всего товаров: 22220
BUK9629-100B,118
- buk9629.100b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4360pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK962R8-30B,118
- buk962r8.30b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10185pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9628-55A,118
- buk9628.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9628-100A,118
- buk9628.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 49A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4293pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9624-55A,118
- buk9624.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1815pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9620-55A,118
- buk9620.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9623-75A,118
- buk9623.75a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9618-55A,118
- buk9618.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 61A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK96180-100A,118
- buk96180.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 619pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9616-75B,118
- buk9616.75b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4034pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9616-55A,118
- buk9616.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 66A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3085pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9615-100A,118
- buk9615.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9612-55B,118
- buk9612.55b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3693pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9614-55A,118
- buk9614.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 73A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3307pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9611-55A,118
- buk9611.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4230pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9610-100B,118
- buk9610.100b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11045pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9609-75A,118
- buk9609.75a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8840pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9609-55A,118
- buk9609.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4633pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9610-55A,118
- buk9610.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4307pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9608-55,118
- buk9608.55.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК