Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

BUK9629-100B,118

  • buk9629.100b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4360pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK962R8-30B,118

  • buk962r8.30b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10185pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9628-55A,118

  • buk9628.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9628-100A,118

  • buk9628.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 49A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4293pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9624-55A,118

  • buk9624.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1815pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9620-55A,118

  • buk9620.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9623-75A,118

  • buk9623.75a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9618-55A,118

  • buk9618.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 61A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK96180-100A,118

  • buk96180.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 619pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9616-75B,118

  • buk9616.75b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4034pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9616-55A,118

  • buk9616.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 66A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3085pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9615-100A,118

  • buk9615.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9612-55B,118

  • buk9612.55b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3693pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9614-55A,118

  • buk9614.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 73A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3307pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9611-55A,118

  • buk9611.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4230pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9610-100B,118

  • buk9610.100b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11045pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9609-75A,118

  • buk9609.75a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8840pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9609-55A,118

  • buk9609.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4633pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9610-55A,118

  • buk9610.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4307pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BUK9608-55,118

  • buk9608.55.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь