Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BUK7608-40B,118
- buk7608.40b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2689pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7607-55B,118
- buk7607.55b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3760pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7607-30B,118
- buk7607.30b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2427pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7606-55A,118
- buk7606.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7606-75B,118
- buk7606.75b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7446pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7606-55B,118
- buk7606.55b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7605-30A,118
- buk7605.30a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7604-40A,118
- buk7604.40a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5730pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7575-55A,127
- buk7575.55a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 483pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7575-100A,127
- buk7575.100a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1210pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK755R2-40B,127
- buk755r2.40b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3789pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK754R3-75C,127
- buk754r3.75c.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 75V TO220AB-3 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 142nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK754R3-40B,127
- buk754r3.40b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4824pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7540-100A,127
- buk7540.100a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 37A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2293pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK753R1-40B,127
- buk753r1.40b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6808pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK754R0-55B,127
- buk754r0.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6776pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK753R4-30B,127
- buk753r4.30b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 30V TO-220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 495
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7535-55A,127
- buk7535.55a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 35A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 872pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7535-100A,127
- buk7535.100a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 41A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2535pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7526-100B,127
- buk7526.100b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2891pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК