Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для BUK752R3-40C,127

BUK752R3-40C,127

  • buk752r3.40c.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH TRENCH 40V TO-220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK752R7-30B,127

BUK752R7-30B,127

  • buk752r7.30b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6212pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7528-55A,127

BUK7528-55A,127

  • buk7528.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1165pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7524-55A,127

BUK7524-55A,127

  • buk7524.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7520-55A,127

BUK7520-55A,127

  • buk7520.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1592pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7524-55,127

BUK7524-55,127

  • buk7524.55.127
  • NXP Semiconductors
  • N-KANAL POWER MOSFET PLASTIK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7520-100A,127

BUK7520-100A,127

  • buk7520.100a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 63A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4373pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7514-55A,127

BUK7514-55A,127

  • buk7514.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 73A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2464pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7515-100A,127

BUK7515-100A,127

  • buk7515.100a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK75150-55A,127

BUK75150-55A,127

  • buk75150.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 11A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 322pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7516-55A,127

BUK7516-55A,127

  • buk7516.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 65.7A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2245pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7511-55A,127

BUK7511-55A,127

  • buk7511.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3093pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7513-75B,127

BUK7513-75B,127

  • buk7513.75b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2644pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7510-100B,127

BUK7510-100B,127

  • buk7510.100b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6773pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7510-55AL,127

BUK7510-55AL,127

  • buk7510.55al.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH TRENCH 55V TO-220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 628

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7509-75A,127

BUK7509-75A,127

  • buk7509.75a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6760pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7508-40B,127

BUK7508-40B,127

  • buk7508.40b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2689pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7508-55A,127

BUK7508-55A,127

  • buk7508.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 76nC @ 0V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4352pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7509-55A,127

BUK7509-55A,127

  • buk7509.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH TRENCH 55V TO-220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 0V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 108A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3271p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7507-55B,127

BUK7507-55B,127

  • buk7507.55b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3760pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь