Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для BSP300 E6327

BSP300 E6327

  • bsp300.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP299 L6327

BSP299 L6327

  • bsp299.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP298 L6327

BSP298 L6327

  • bsp298.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP298 E6327

BSP298 E6327

  • bsp298.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP296 L6433

BSP296 L6433

  • bsp296.l6433
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 364

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP296 E6433

BSP296 E6433

  • bsp296.e6433
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 364

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP296E6327

BSP296E6327

  • bsp296e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 364p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP295E6327T

BSP295E6327T

  • bsp295e6327t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 368pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP254A,126

BSP254A,126

  • bsp254a.126
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 250V 200MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Le

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP295E6327

BSP295E6327

  • bsp295e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 368pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP250,115

BSP250,115

  • bsp250.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 20V · FET Polarity: P-C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP230,135

BSP230,135

  • bsp230.135
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP250,135

BSP250,135

  • bsp250.135
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 20V · FET Polarity: P-C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP225,115

BSP225,115

  • bsp225.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 225mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP220,115

BSP220,115

  • bsp220.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 225mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP171PE6327

BSP171PE6327

  • bsp171pe6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP171PE6327T

BSP171PE6327T

  • bsp171pe6327t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP170PE6327

BSP170PE6327

  • bsp170pe6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP170P L6327

BSP170P L6327

  • bsp170p.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSP170PE6327T

BSP170PE6327T

  • bsp170pe6327t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь