Полевые транзисторы - Одиночные, страница 1063
Всего товаров: 22220
BSP300 E6327
- bsp300.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP299 L6327
- bsp299.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP298 L6327
- bsp298.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP298 E6327
- bsp298.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP296 L6433
- bsp296.l6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 364
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP296 E6433
- bsp296.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 364
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP296E6327
- bsp296e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 364p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP295E6327T
- bsp295e6327t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 368pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP254A,126
- bsp254a.126
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 250V 200MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP295E6327
- bsp295e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 368pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP250,115
- bsp250.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 20V · FET Polarity: P-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP230,135
- bsp230.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP250,135
- bsp250.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 20V · FET Polarity: P-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP225,115
- bsp225.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 225mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP220,115
- bsp220.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 225mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP171PE6327
- bsp171pe6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP171PE6327T
- bsp171pe6327t
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP170PE6327
- bsp170pe6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP170P L6327
- bsp170p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP170PE6327T
- bsp170pe6327t
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК