Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSO613SPV
- bso613spv
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 875pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4822T
- bso4822t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4420
- bso4420
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2213pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4410T
- bso4410t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4410
- bso4410
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO303SP
- bso303sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1754pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO301SP
- bso301sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 136nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5890pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO300N03S
- bso300n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 5.7A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO220N03MS G
- bso220n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO203SP
- bso203sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2265pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO201SP
- bso201sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 128nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 596
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO200N03S
- bso200n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 840pF @ 15V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO200P03S
- bso200p03s
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO130N03MS G
- bso130n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO130P03S
- bso130p03s
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3520pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO119N03S
- bso119n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO094N03S
- bso094n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO104N03S
- bso104n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO110N03MS G
- bso110n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO083N03MS G
- bso083n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 11A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК